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SUD09P10-195-GE3TR-ND

型号 :
SUD09P10-195-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
PDF :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1055pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 34.8nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 195 毫欧 @ 3.6A,10V
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
功率 - 最大值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc)
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