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SI2303CDS-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SI2303CDS-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 155pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 1.9A,10V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 2.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.7A(Tc)
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