网站首页>产品>PSMN4R3-30PL,127

568-4897-5-ND

型号 :
PSMN4R3-30PL,127
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
PDF :
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库存 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.15V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2400pF @ 12V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 41.5nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.3 毫欧 @ 15A,10V
供应商器件封装 TO-220AB
功率 - 最大值 103W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
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