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BSB044N08NN3 GTR-ND

型号 :
BSB044N08NN3 G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 97µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 5700pF @ 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 73nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.4 毫欧 @ 30A,10V
供应商器件封装 MG-WDSON-2,CanPAK M™
功率 - 最大值 78W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-WDSON
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Ta),90A(Tc)
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