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568-12317-2-ND

型号 :
PHK04P02T,518
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
PDF :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 528pF @ 12.8V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 7.2nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 16V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.66A(Tc)
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