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SIR418DP-T1-GE3TR-ND

型号 :
SIR418DP-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2410pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 75nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 20A,10V
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
功率 - 最大值 39W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
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