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SQJ850EP-T1_GE3CT-ND
- 型号 :
- SQJ850EP-T1_GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 简介 :
- MOSFET N-CH 60V 24A
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- 库存 :
- 批量库存
- 单价 :
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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1225pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 30nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 23 毫欧 @ 10.3A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率 - 最大值 | 45W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 24A（Tc） |
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