网站首页>产品>IRLD120PBF

IRLD120PBF-ND

型号 :
IRLD120PBF
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价

微信扫码添加客服了解详情

FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 490pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 270 毫欧 @ 780mA,5V
供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
功率 - 最大值 1.3W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta)
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩