网站首页>产品>SIHP24N65E-E3

SIHP24N65E-E3-ND

型号 :
SIHP24N65E-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价

微信扫码添加客服了解详情

FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2740pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 122nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 145 毫欧 @ 12A,10V
供应商器件封装 TO-220AB
功率 - 最大值 250W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩