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SQM120P04-04L_GE3-ND

型号 :
SQM120P04-04L_GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
PDF :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 13980pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 330nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 30A,10V
供应商器件封装 TO-263(D2Pak)
功率 - 最大值 375W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
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