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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 390pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 18nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 600 毫欧 @ 600mA，10V |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1A（Ta） |
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