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SI2351DS-T1-E3DKR-ND

型号 :
SI2351DS-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
PDF :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 250pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 5.1nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 115 毫欧 @ 2.4A,4.5V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 2.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Tc)
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