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SI5406DC-T1-E3DKR-ND

型号 :
SI5406DC-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
PDF :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 1.2mA(最小)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 6.9A,4.5V
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
功率 - 最大值 1.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Ta)
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