网站首页>产品>SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3TR-ND

型号 :
SIZ918DT-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价

微信扫码添加客服了解详情

FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 790pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 21nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 12 毫欧 @ 13.8A,10V
供应商器件封装 6-PowerPair™
功率 - 最大值 29W,100W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-PowerPair™
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A,28A
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩