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SI4670DY-T1-E3TR-ND

型号 :
SI4670DY-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 680pF @ 13V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 18nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 23 毫欧 @ 7A,10V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 2.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A
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