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SI4814BDY-T1-E3-ND

型号 :
SI4814BDY-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 10nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 18 毫欧 @ 10A,10V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 3.3W,3.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A,10.5A
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