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SI8900EDB-T2-E1TR-ND

型号 :
SI8900EDB-T2-E1
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1.1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
供应商器件封装 10-Micro Foot™ CSP(2x5)
功率 - 最大值 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 10-UFBGA,CSPBGA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A
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