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SI7962DP-T1-E3TR-ND

型号 :
SI7962DP-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
PDF :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 70nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 17 毫欧 @ 11.1A,10V
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大值 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.1A
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