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VQ1001P-E3-ND

型号 :
VQ1001P-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 4 个 N 通道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 110pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.75 欧姆 @ 200mA,5V
供应商器件封装
*
功率 - 最大值 2W
安装类型
*
封装/外壳
-
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 830mA
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