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SI5504DC-T1-E3TR-ND

型号 :
SI5504DC-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA(最小)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 7.5nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 2.9A,10V
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
功率 - 最大值 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A,2.1A
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