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SI5509DC-T1-E3DKR-ND
- 型号 :
- SI5509DC-T1-E3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 简介 :
- MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
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- 库存 :
- 批量库存
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 455pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 6.6nC @ 5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 52 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率 - 最大值 | 4.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.1A，4.8A |
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