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SIB914DK-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SIB914DK-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
PDF :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 125pF @ 4V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2.6nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 113 毫欧 @ 2.5A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® SC-75-6L 双
功率 - 最大值 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SC-75-6L 双
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.5A
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