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SI3586DV-T1-GE3TR-ND

型号 :
SI3586DV-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
PDF :
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库存 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
供应商器件封装 6-TSOP
功率 - 最大值 830mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.9A,2.1A
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