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SIS902DN-T1-GE3CT-ND

型号 :
SIS902DN-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 175pF @ 38V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 186 毫欧 @ 3A,10V
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8 Dual
功率 - 最大值 15.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 双
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
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