网站首页>产品>SI6966DQ-T1-GE3

SI6966DQ-T1-GE3-ND

型号 :
SI6966DQ-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
PDF :
PDF
库存 :
批量库存
单价 :
注册会员查看
数量 : 加入询价

微信扫码添加客服了解详情

FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
供应商器件封装 8-TSSOP
功率 - 最大值 830mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩