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| FET 功能 | 耗尽模式 |
|---|---|
| FET 类型 | 4 N 沟道，配对 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.45V @ 1µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2.5pF @ 5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） |
|
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 540 欧姆 @ 0V |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 12mA，3mA |
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