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1014-1215-ND

型号 :
ALD212900APAL
制造商 :
Advanced Linear Devices Inc.
简介 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 N 沟道(双)配对
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 10mV @ 20µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 30pF @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 14 欧姆
供应商器件封装 8-PDIP
功率 - 最大值 500mW
安装类型 通孔
封装/外壳 8-DIP(0.300",7.62mm)
工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 10.6V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80mA
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